对比图
型号 IRF8910PBF STS8DNF3LL STS9D8NH3LL
描述 Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8Pin SOIC TubeSTS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-830V,9A,0.012Ω,双N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-CH
耗散功率 2 W 2 W 2 W
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 8.00 A 8A/9A
输入电容(Ciss) 960pF @10V(Vds) 800pF @25V(Vds) 857pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 1.6 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW
额定电压(DC) 20.0 V 30.0 V -
额定电流 10.0 A 8.00 A -
漏源极电阻 0.0134 Ω 0.02 Ω -
产品系列 IRF8910 - -
阈值电压 2.55 V 1 V -
漏源击穿电压 20 V 30.0 V -
上升时间 10.0 ns 32 ns -
热阻 62.5℃/W (RθJA) - -
栅源击穿电压 - ±16.0 V -
下降时间 - 11 ns -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -