STP16NF06L和STP60NF06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP16NF06L STP60NF06 MTP3055V

描述 STMICROELECTRONICS  STP16NF06L..  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 16A, TO-220STMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 VN沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 16.0 A 60.0 A 12.0 A

漏源极电阻 0.07 Ω 0.016 Ω 150 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 110 W 48 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 60.0 A 12.0 A

输入电容(Ciss) 345pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 110 W 48 W

耗散功率(Max) 45W (Tc) 110W (Tc) 48W (Tc)

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

阈值电压 1 V 2 V -

上升时间 37 ns 108 ns -

下降时间 12.5 ns 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 45 W - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 9.15 mm 9.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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