对比图
描述 N沟道25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK STripFET™ III Power MOSFETN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3
引脚数 - 3
耗散功率 70W (Tc) 60 W
漏源极电压(Vds) 25 V 30 V
输入电容(Ciss) 2050pF @16V(Vds) 1690pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W -
耗散功率(Max) 70W (Tc) 60W (Tc)
漏源极电阻 - 0.0046 Ω
极性 - N-Channel
阈值电压 - 1.7 V
连续漏极电流(Ids) - 75A
上升时间 - 30 ns
下降时间 - 12 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-251-3 TO-251-3
长度 - 6.6 mm
宽度 - 2.4 mm
高度 - 6.9 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17