对比图
描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 55 W 25 W
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 8.50 A
上升时间 270 ns 17.2 ns
输入电容(Ciss) 2450pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 55 W 25 W
下降时间 120 ns 8.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 55W (Tc) 25W (Tc)
额定电压(DC) 250 V -
额定电流 14.0 A -
通道数 1 -
漏源极电阻 110 mΩ -
漏源击穿电压 250 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V -
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -