MRF377和MRFE6S9125NBR1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF377 MRFE6S9125NBR1 ARF1519

描述 MRF377, MRF377R3, MRF377R5 470-860MHz, 240W, 32V Lateral N-Channel RF Power MOSFETRF Power Transistor,865 to 960MHz, 125W, Typ Gain in dB is 20.2 @ 880MHz, 28V, LDMOS, SOT1735RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

数据手册 ---

制造商 Motorola (摩托罗拉) NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 5 4

封装 - TO-272 Die

频率 - 880 MHz 13.56 MHz

额定电流 - 10 µA 20 A

无卤素状态 - Halogen Free -

输出功率 - 27 W 750 W

增益 - 20.2 dB 20 dB

测试电流 - 950 mA -

输入电容(Ciss) - 350pF @28V(Vds) 4600pF @150V(Vds)

工作温度(Max) - 225 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

额定电压 - 66 V 1000 V

电源电压 - 28 V -

耗散功率 - - 1350000 mW

耗散功率(Max) - - 1350000 mW

封装 - TO-272 Die

高度 - - 7.62 mm

工作温度 - -65℃ ~ 225℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司