IRFR120PBF和IRFR120ZTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR120PBF IRFR120ZTRPBF STD6NF10T4

描述 N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.7A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 1

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 35 W 30 W

产品系列 - IRFR120Z -

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 7.70 A 8.70 A 3.00 A

输入电容(Ciss) 360pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 35 W 30 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 270 mΩ - 0.22 Ω

上升时间 27 ns - 10 ns

下降时间 17 ns - 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) - 30W (Tc)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 6.00 A

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - 6.6 mm

高度 2.39 mm - 2.4 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 175℃ (TJ)

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