对比图
型号 FDP150N10 IPP16CN10LG FDP150N10A-F102
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP150N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 VOptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - -
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.012 Ω - 0.0125 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 110 W 100 W 91 W
阈值电压 2.5 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V
漏源击穿电压 100 V - -
连续漏极电流(Ids) 57A - -
上升时间 164 ns - 16 ns
输入电容(Ciss) 4760pF @25V(Vds) - 1080pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 110 W - -
下降时间 83 ns - 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) - 91000 mW
长度 10.67 mm - -
宽度 4.83 mm - -
高度 16.51 mm - -
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -