IRF530N和STP24NF10

对比图

型号 IRF530N STP24NF10 IRF530N,127

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin (3+Tab) TO-220ABSTMICROELECTRONICS  STP24NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 N沟道MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 -

耗散功率 70.0 W 85 W 79W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 22.0 ns 45 ns 36 ns

输入电容(Ciss) - 870pF @25V(Vds) 633pF @25V(Vds)

下降时间 - 20 ns 12 ns

耗散功率(Max) - 85W (Tc) 79W (Tc)

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 17.0 A 26.0 A -

额定功率 - 85 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 90.0 mΩ 0.055 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 - 3 V -

输入电容 - 870 pF -

漏源击穿电压 100V (min) 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 26.0 A -

额定功率(Max) - 85 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

产品系列 IRF530N - -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 -