对比图
型号 2N7002LT1G BSH108,215 2N7002TA
描述 ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 VNXP BSH108,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 30 V, 0.077 ohm, 10 V, 1.5 VDIODES INC. 2N7002TA 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 7.5 Ω 0.077 Ω 7.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 mW 830 mW 330 mW
阈值电压 2.5 V 1.5 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 30 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 115 mA 1.90 A 115 mA
上升时间 - 8 ns -
输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 190pF @10V(Vds) 50pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 225 mW 830 mW 330 mW
下降时间 - 26 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 225mW (Ta) 830mW (Tc) 330mW (Ta)
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 115 mA - 115 mA
漏源击穿电压 60 V - 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±40.0 V
额定功率 0.225 W - -
无卤素状态 Halogen Free - -
通道数 1 - -
正向电压(Max) 1.5 V - -
长度 2.9 mm 3 mm -
宽度 1.3 mm 1.4 mm -
高度 0.94 mm 1 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99