对比图
型号 FQB12P20TM IRF9640SPBF IRF9640STRLPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB12P20TM 场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 11.5mAP 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorP沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 470 mΩ 500 mΩ 0.5 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 3.13 W 3 W 3 W
阈值电压 5 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 11.5 mA -11.0 A -11.0 A
上升时间 195 ns 43 ns 43 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W 3 W 3 W
下降时间 60 ns 38 ns 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 120W (Tc) 3 W 125 W
额定功率 - 125 W -
漏源击穿电压 200 V -200 V -
额定电压(DC) -200 V - -
额定电流 -11.5 A - -
通道数 1 - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 10.67 mm 10.41 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2000 800
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -