对比图
型号 IRFR3806PBF STD70N6F3 STD60NF06T4
描述 Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3Pin(2+Tab) DPAK TubeSTD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
耗散功率 71 W 110 W 110 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
输入电容(Ciss) 1150pF @50V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 71 W 110 W 110 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)
漏源极电阻 15.8 mΩ - 0.014 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
产品系列 IRFR3806 - -
阈值电压 4 V - 4 V
输入电容 1150pF @50V - -
漏源击穿电压 60 V - 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 43.0 A - 60.0 A
针脚数 - - 3
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
上升时间 - - 108 ns
下降时间 - - 20 ns
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - 6.6 mm
高度 2.39 mm - 2.4 mm
宽度 - - 6.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99