对比图
型号 IPI47N10SL-26 SPI47N10L IPB47N10SL-26
描述 SIPMOS功率三极管N沟道增强模式的逻辑电平 SIPMOS Power-Transistor N-Channel Enhancement mode Logic LevelSIPMOS㈢功率三极管 SIPMOS㈢ Power-TransistorInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-263-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 47.0 A -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 175 W 175W (Tc) 175 W
输入电容 - 2.50 nF -
栅电荷 - 135 nC -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 47A 47.0 A 47A
输入电容(Ciss) - 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 175W (Tc) 175W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源极电阻 26 mΩ - 26 mΩ
漏源击穿电压 100 V - 100 V
上升时间 100 ns - 100 ns
下降时间 70 ns - 70 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - 55 ℃
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-263-3
长度 10.2 mm - 10 mm
宽度 4.5 mm - 9.25 mm
高度 9.45 mm - 4.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free