CD4066BE和HEF4066BT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CD4066BE HEF4066BT MC14066BCPG

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CD4066BE  芯片, 模拟开关, 四路, SPST, DIP-14NXP  HEF4066BT  模拟开关, SPST, 4 放大器, 350 ohm, 4.5V 至 15.5V, SOIC, 14 引脚ON SEMICONDUCTOR  MC14066BCPG  模拟开关, SPST, 4 放大器, 280 ohm, 3V 至 18V, DIP, 14 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 模拟开关芯片模拟开关芯片逻辑控制器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 14 14 14

封装 DIP-14 SOIC-14 DIP-14

电源电压(DC) 15.0 V 15.0 V 15.0 V

工作电压 3V ~ 18V - -

输出接口数 4 - 4

触点类型 SPST - SPST

通道数 4 4 4

针脚数 14 14 14

漏源极电阻 470 Ω - -

位数 4 - -

极性 Non-Inverting - -

电压波节 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V - -

静态电流 20.0 nA - -

逻辑门个数 4 4 4

输入电容 8.00 pF - -

带宽 40 MHz - 65 MHz

输入数 4 - 4

工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

电源电压 3V ~ 18V 4.5V ~ 15.5V 3V ~ 18V

电源电压(Max) 18 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

电路数 - 4 4

耗散功率 - 100 mW 0.5 W

3dB带宽 - 90 MHz -

额定电流 - - 1.50 A

击穿电压(集电极-发射极) - - -60.0 V

耗散功率(Max) - - 500 mW

长度 19.3 mm - 19.56 mm

宽度 6.35 mm - 6.6 mm

高度 4.57 mm - 3.68 mm

封装 DIP-14 SOIC-14 DIP-14

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Each Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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