NTE2987和RFP12N10L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTE2987 RFP12N10L IRL520PBF

描述 NTE ELECTRONICS  NTE2987  芯片, 高速开关, MOSFET, N沟道, 20A, TO220-3FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP12N10L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 100 V, 200 mohm, 5 V, 2 VVISHAY  IRL520PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 100 V, 270 mohm, 5 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.09 Ω 200 mΩ 0.27 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 105 W 60 W 60 W

阈值电压 1.6 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 20A 12.0 A 9.20 A

上升时间 140 ns 70 ns 64 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds) -

下降时间 80 ns 80 ns 27 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 105000 mW 60000 mW -

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 12.0 A 9.20 A

输入电容 - - 490pF @25V

漏源击穿电压 - 100 V 100 V

额定功率 - 60 W -

栅源击穿电压 - ±10.0 V -

额定功率(Max) - 60 W -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.67 mm 10.51 mm

宽度 - 4.83 mm 4.7 mm

高度 - 9.4 mm 15.49 mm

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

HTS代码 85412900951 - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

包装方式 - Tube Tube

产品生命周期 - Unknown -

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