SPD03N60C3和SPD03N60C3ATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPD03N60C3 SPD03N60C3ATMA1 SPD03N50C3ATMA1

描述 INFINEON  SPD03N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPD03N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPD03N50C3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3-1 TO-252-3-1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.26 Ω 1.26 Ω 1.25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 38 W 38 W 38 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 560 V

连续漏极电流(Ids) 3.2A 3.2A 3.2A

上升时间 3 ns 3 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 12 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 38W (Tc) 38W (Tc) 38W (Tc)

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 3.20 A - -

正向电压(Max) 1.2 V - -

额定功率(Max) 38 W - -

封装 TO-252-3 TO-252-3-1 TO-252-3-1

长度 6.73 mm - -

宽度 6.223 mm - -

高度 2.413 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -

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