对比图
型号 BAS85,115 TMMBAT42FILM BAS85-GS08
描述 NXP BAS85,115 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °CSTMICROELECTRONICS TMMBAT42FILM 二极管 小信号, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 5 ns, 4 AVISHAY BAS85-GS08 小信号肖特基二极管, AEC-Q101, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 2 2
封装 SOD-80 SOD-80 SOD-80
额定电流 - 350 mA 200 A
负载电流 - 0.2 A 200 mA
针脚数 2 2 2
正向电压 800mV @100mA 1V @200mA 0.8 V
耗散功率 - 200 mW 200 mW
反向恢复时间 - 5 ns 5 ns
测试电流 - - 200 mA
正向电流 200 mA 200 mA 200 mA
最大正向浪涌电流（Ifsm） 5 A 4 A 600 mA
正向电压(Max) 800 mV 400 mV 800 mV
正向电流(Max) 200 mA 200 mA 200 mA
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
工作结温 125℃ (Max) - 125℃ (Max)
工作结温(Max) - 125 ℃ 125 ℃
额定电压(DC) - 30.0 V -
电容 - 7.00 pF -
输出电流 - ≤200 mA -
极性 - Standard -
热阻 320℃/W (RθJA) 300℃/W (RθJL) -
耗散功率(Max) - 200 mW -
长度 3.7 mm 3.4 mm 3.7 mm
宽度 1.6 mm 1.62 mm 1.6 mm
高度 1.6 mm 1.62 mm 1.6 mm
封装 SOD-80 SOD-80 SOD-80
工作温度 - -65℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99