对比图
型号 IRFS4310PBF IRFS4310TRLPBF SUM110N10-09-E3
描述 N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。VISHAY SUM110N10-09-E3. 场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 110A TO-263
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
额定功率 330 W 330 W -
通道数 1 - -
漏源极电阻 0.0056 Ω 0.0056 Ω 0.0095 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 437.5 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - -
连续漏极电流(Ids) 130A 130A 110 A
上升时间 110 ns 110 ns 125 ns
输入电容(Ciss) 7670pF @50V(Vds) 7670pF @50V(Vds) -
额定功率(Max) 300 W 300 W -
下降时间 78 ns 78 ns 130 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300000 mW 300W (Tc) -
针脚数 - 3 3
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 9.65 mm 11.3 mm -
高度 4.83 mm 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active -
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC