对比图
型号 FQD17P06TM STD10PF06T4 STD10P6F6
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD17P06TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V 新STMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 VP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.11 Ω 0.18 Ω 0.13 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 40 W 35 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 - - 340 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60 V 60 V
上升时间 100 ns 40 ns 5.3 ns
正向电压(Max) - - 1.1 V
输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) 340pF @48V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 40 W 35 W
下降时间 60 ns 10 ns 3.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 40W (Tc) 35W (Tc)
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -
额定电流 -12.0 A -10.0 A -
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 12.0 mA 10.0 A -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 7.45 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -