NSBC115EDXV6T1G和NSBC123JPDXV6T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSBC115EDXV6T1G NSBC123JPDXV6T1G NSBC123JPDXV6T5G

描述 ON Semiconductor### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NSBC123JPDXV6T1G NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA HEF=80~140 R1=2.2KΩ R2=47KΩ 500mW/0.5W SOT-563 标记3S6 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路SOT-563 NPN+PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-563-6 SOT-563-6 SOT-563-6

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN+PNP NPN+PNP

耗散功率 357 mW 0.5 W 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 80 -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

长度 1.7 mm 1.6 mm -

宽度 1.3 mm 1.2 mm -

高度 0.6 mm 0.55 mm -

封装 SOT-563-6 SOT-563-6 SOT-563-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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