对比图
型号 IPP072N10N3GXKSA1 IRFB4310ZPBF STP100N10F7
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3GXKSA1, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装INFINEON IRFB4310ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 V100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 150 W 250 W -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0062 Ω 0.0056 Ω 0.0068 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 250 W 150 W
阈值电压 2.7 V 4 V 4.5 V
输入电容 3690 pF 6860 pF 4369 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 80A 127A -
上升时间 37 ns 60 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 3690pF @50V(Vds) 6860pF @50V(Vds) 4369pF @50V(Vds)
下降时间 9 ns 57 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 250000 mW 150W (Tc)
漏源击穿电压 - 100 V -
额定功率(Max) - 250 W 150 W
长度 10.36 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm 4.83 mm -
高度 4.57 mm 9.02 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17