MMBF5460LT1G和MMBF5462

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF5460LT1G MMBF5462 MMBF5460LT1

描述 JFET - 通用晶体管P通道 JFET - General Purpose Transistor P-ChannelP 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。MMBF5460LT1 N沟道结型场效应管 40v 1~5mA SOT-23 marking/标记 M6E 高阻抗信号源

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

耗散功率 200 mW 225 mW 200 mW

击穿电压 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 7pF @15V(Vds) 7pF @15V(Vds) 7pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

额定电压(DC) -40.0 V - -40.0 V

额定电流 -10.0 mA - -10.0 mA

极性 P-Channel - P-Channel

输入电容 7.00 pF - -

漏源极电压(Vds) 40.0 V - 40.0 V

栅源击穿电压 40 V - 40.0 V

长度 - 2.92 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.93 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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