IRLM120ATF和STN2NF10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLM120ATF STN2NF10 IRFL110PBF

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RSTMICROELECTRONICS  STN2NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 VMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 -

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 2.00 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 220 mΩ 0.23 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.7 W 3.3 W 2W (Ta), 3.1W (Tc)

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.30 A 2.00 A -

上升时间 10 ns 10 ns -

输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.7 W 3.3 W -

下降时间 9 ns 3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.7W (Tc) 3.3W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.5 mm

宽度 3.5 mm 3.5 mm 3.5 mm

高度 1.8 mm 1.8 mm 1.8 mm

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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