对比图
型号 NTD25P03LT4G STD30PF03LT4 NTD25P03LG
描述 ON SEMICONDUCTOR NTD25P03LT4G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 25A, D-PAKSTMICROELECTRONICS STD30PF03LT4 晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -30 V, 28 mohm, -10 V, -1 V-25A,-30V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V
额定电流 -25.0 A -24.0 A -25.0 A
额定功率 - 70 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.056 Ω 0.028 Ω 0.051 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 75 W 70 W 75 W
阈值电压 - 1 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 ±15.0 V ±16.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 24.0 A 25.0 A
上升时间 37 ns 122 ns 37 ns
输入电容(Ciss) 1260pF @25V(Vds) 1670pF @25V(Vds) 1260pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 75 W 70 W 75 W
下降时间 16 ns 26 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75 W 70W (Tc) 75000 mW
通道数 - - 1
输入电容 - - 1.26 nF
栅电荷 - - 20.0 nC
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.4 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99