对比图
型号 IPP041N12N3GXKSA1 IRFB4110PBF FDP047N10
描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON IRFB4110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 0.0035 Ω 0.0045 Ω 0.0039 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 370 W 375 W
阈值电压 3 V 4 V 3.5 V
漏源极电压(Vds) 120 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 120A 180A 164A
输入电容(Ciss) 10400pF @25V(Vds) 9620pF @50V(Vds) 15265pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 370 W 375 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 W 370W (Tc) 375000 mW
额定功率 300 W 370 W -
针脚数 3 3 -
输入电容 - 9620 pF -
漏源击穿电压 - 100 V -
上升时间 52 ns 67 ns -
下降时间 21 ns 88 ns -
长度 10.36 mm 10.67 mm 10.1 mm
宽度 4.57 mm 4.82 mm 4.7 mm
高度 15.95 mm 9.02 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -