对比图
型号 FQB19N20TM IRF640NSTRLPBF STB19NF20
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RINFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VSTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 19.4 A - -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 150 mΩ 0.15 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 3.13 W 150 W 90 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 19.4 A 18A -
上升时间 190 ns 19 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W 150 W 90 W
下降时间 80 ns 5.5 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 140W (Tc) 150W (Tc) 90W (Tc)
额定功率 - 150 W -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 1160 pF -
宽度 9.65 mm 9.65 mm 10.4 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.67 mm 10.75 mm
高度 - 4.83 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99