BUK964R4-40B和STB200NF04T4

对比图

型号 BUK964R4-40B STB200NF04T4 BUK763R1-40B

描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsPower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) Nexperia (安世)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 D2PAK TO-263-3 -

额定电压(DC) - 40.0 V -

额定电流 - 120 A -

漏源极电阻 - 3.70 mΩ -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 310000 mW -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

漏源击穿电压 - 40.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 174A 120 A -

上升时间 - 320 ns -

输入电容(Ciss) - 5100pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 310 W -

下降时间 - 120 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 310000 mW -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

封装 D2PAK TO-263-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -