BSP60和BSP615S2L

对比图

型号 BSP60 BSP615S2L BSP60T/R

描述 PNP硅达林顿晶体管 PNP Silicon Darlington Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorSmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Nexperia (安世)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-223 SOT-223-4 -

引脚数 - 4 -

额定功率 1.5 W - -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 - -

额定电压(DC) - 55.0 V -

额定电流 - 2.80 A -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 1.8W (Ta) -

输入电容 - 330 pF -

栅电荷 - 10.0 nC -

漏源极电压(Vds) - 55 V -

连续漏极电流(Ids) - 2.80 A -

上升时间 - 24 ns -

输入电容(Ciss) - 330pF @25V(Vds) -

下降时间 - 23 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1.8W (Ta) -

长度 6.5 mm - -

宽度 3.5 mm - -

高度 1.6 mm - -

封装 SOT-223 SOT-223-4 -

产品生命周期 End of Life Obsolete Active

包装方式 - Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -