对比图
型号 MMBTH10-7-F MMBTH10LT3G MMBTH10-7
描述 MMBTH10 Series 25V 50mA 300mW NPN VHF/UHF Transistor - SOT-23-3ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管NPN表面贴装VHF/ UHF晶体管VHF/ UHF放大器应用设计和高输出的高频振荡器高电流增益带宽积非常适于混频器和射频放大器应用集电极电流范围100 - 30毫安
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V
额定电流 50.0 mA - 50.0 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.3 W 225 mW 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V
集电极最大允许电流 0.05A - 0.05A
最小电流放大倍数(hFE) 60 @4mA, 10V 60 60
额定功率(Max) 300 mW 225 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
无卤素状态 - Halogen Free -
增益频宽积 - 650 MHz -
耗散功率(Max) 300 mW 225 mW -
频率 650 MHz - -
额定功率 0.3 W - -
长度 - 3.04 mm 3.05 mm
宽度 - 2.64 mm 1.4 mm
高度 - 1.11 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 - EAR99 -