对比图
型号 MMBT2222AWT1G PMST2222A,115 SMMBT2222AWT1G
描述 NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管NXP PMST2222A,115 单晶体管 双极, 开关, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 600 mA, 35 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 40V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3
频率 300 MHz 300 MHz -
额定功率 - 0.2 W -
针脚数 3 3 -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 150 mW 200 mW 150 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 35 @0.1mA, 10V -
额定功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW
直流电流增益(hFE) 300 100 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 28.0 A - -
长度 2.2 mm 2.2 mm -
宽度 1.35 mm 1.35 mm -
高度 1 mm 1 mm -
封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -