BD244BTU和D45VH10G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD244BTU D45VH10G TIP32BG

描述 Trans GP BJT PNP 80V 6A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailPNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。ON SEMICONDUCTOR  TIP32BG.  射频双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -6.00 A -15.0 A -3.00 A

极性 PNP PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 65 W 83 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 6A 15A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V 20 @4A, 1V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 65 W 83 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 65000 mW 83 W 2000 mW

频率 - 50 MHz 3 MHz

针脚数 - 3 3

增益频宽积 - 50 MHz -

热阻 - 62.5℃/W (RθJC) 3.125℃/W (RθJC)

直流电流增益(hFE) - 35 50

长度 10.1 mm 10.28 mm 10.28 mm

宽度 4.7 mm 4.83 mm 4.83 mm

高度 9.4 mm 15.75 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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