NDS9410A和SI9410DY

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NDS9410A SI9410DY FDS6612A

描述 单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor单N沟道增强型MOSFET Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6612A  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 7.30 A 7.00 A 8.40 A

针脚数 - - 8

漏源极电阻 28.0 mΩ 30.0 mΩ 0.019 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.50 W 2.5 W

阈值电压 - - 1.9 V

输入电容 - - 560 pF

栅电荷 - - 5.40 nC

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.30 A 7.00 A 8.40 A

上升时间 - - 5 ns

输入电容(Ciss) 830pF @15V(Vds) - 560pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 1 W

下降时间 - - 3 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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