对比图
型号 IRF720B STB140NF75T4 IRF720PBF
描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETSTB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-220 TO-263-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
漏源极电阻 1.75 Ω 0.0065 Ω 1.8 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 49 W 310 W 50 W
漏源极电压(Vds) 400 V 75 V 400 V
漏源击穿电压 50.0 V 75.0 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 3.30 A 120 A 3.30 A
额定功率 - - 50 W
针脚数 - - 3
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容(Ciss) - 5000pF @25V(Vds) 410pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 310 W 50 W
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 310W (Tc) 50 W
额定电压(DC) - 75.0 V -
额定电流 - 120 A -
上升时间 - 140 ns -
下降时间 - 90 ns -
封装 TO-220 TO-263-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.41 mm
宽度 - 9.35 mm 4.7 mm
高度 - 4.6 mm 9.01 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)