对比图
描述 N沟道 40V 195AINFINEON IRFB7430PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 375 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.001 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 - 375 W
阈值电压 - 2.2 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 409A 409A
上升时间 - 105 ns
输入电容(Ciss) 14240pF @25V(Vds) 14240pF @25V(Vds)
下降时间 - 100 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 375W (Tc)
长度 - 10.67 mm
宽度 - 4.83 mm
高度 - 16.51 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
ECCN代码 - EAR99