












INFINEON IRFB7430PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V
StrongIRFET™ 功率 MOSFET,
Infineon 的 得捷:
MOSFET N CH 40V 195A TO220
欧时:
StrongIRFET™ 功率 MOSFET,InfineonInfineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 40V 195A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 409A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V
儒卓力:
**N-CH 40V 409A 1,3mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N CH 40V 195A TO220
额定功率 375 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.001 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 409A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 14240pF @25VVds
下降时间 100 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Push-Pull, Battery Operated Drive, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Full-Bridge, Motor Drive & Control, Power Management, Consumer Full-Bridge
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFB7430PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFB7430GPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFB7430PBF和IRFB7430GPBF的区别 |