IRFB7430PBF

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IRFB7430PBF概述

INFINEON  IRFB7430PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V

StrongIRFET™ 功率 MOSFET,

Infineon 的
.
*StrongIRFE** 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。

得捷:
MOSFET N CH 40V 195A TO220


欧时:
StrongIRFET™ 功率 MOSFET,InfineonInfineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 40V 195A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 409A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V


儒卓力:
**N-CH 40V 409A 1,3mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N CH 40V 195A TO220


IRFB7430PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 375 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.001 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 409A

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 14240pF @25VVds

下降时间 100 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Push-Pull, Battery Operated Drive, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Full-Bridge, Motor Drive & Control, Power Management, Consumer Full-Bridge

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFB7430PBF
型号: IRFB7430PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFB7430PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V
替代型号IRFB7430PBF
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IRFB7430PBF和IRFB7430GPBF的区别

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