FGA15N120ANTD和FGA15N120ANTDTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FGA15N120ANTD FGA15N120ANTDTU

描述 1200V NPT沟道IGBT 1200V NPT Trench IGBTTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P Rail

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管

基础参数对比

封装 TO-3 TO-3-3

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-3 TO-3-3

高度 - 19.9 mm

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

额定电压(DC) - 1.20 kV

额定电流 - 15.0 A

耗散功率 - 186000 mW

漏源击穿电压 - 1.20 kV

连续漏极电流(Ids) - 15.0 A

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V

反向恢复时间 - 330 ns

额定功率(Max) - 186 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 186000 mW

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99

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