IRLML9303TRPBF和NDS356AP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLML9303TRPBF NDS356AP FDN352AP

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLML9303TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.3 A, SOT-23FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS356AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN352AP  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - -30.0 V -30.0 V

额定电流 - -1.10 A -1.30 A

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.135 Ω 300 mΩ 180 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.25 W 500 mW 500 mW

输入电容 - - 150 pF

栅电荷 - - 1.40 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) -2.30 A 1.10 A -1.30 A

上升时间 - 17 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 160pF @25V(Vds) 280pF @10V(Vds) 150pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W 460 mW 460 mW

下降时间 - 38 ns 1 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 500mW (Ta) 500mW (Ta)

产品系列 IRLML9303 - -

漏源击穿电压 - -30.0 V -

长度 - 2.92 mm 2.92 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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