对比图
型号 IPB80N06S3L-05 NP80N06PLG-E1B-AY STP60N55F3
描述 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTORN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-220-3
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 80.0 A - -
极性 N-CH - -
耗散功率 165W (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) 110 W
输入电容 7.77 nF - -
栅电荷 170 nC - -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A - -
上升时间 49 ns - 50 ns
输入电容(Ciss) 13060pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 165 W - 110 W
下降时间 41 ns - 11.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 165W (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) 110W (Tc)
封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete End of Life Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99