BD680G和KSE702STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD680G KSE702STU BD680

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD680G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 40 W, -4 A, 750 hFETrans Darlington PNP 80V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 Rail达林顿功率晶体管PNP硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) -80.0 V - -80.0 V

额定电流 -4.00 A - -4.00 A

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

耗散功率 40 W 40000 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V - -

直流电流增益(hFE) 750 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

长度 7.74 mm - -

宽度 2.66 mm - -

高度 11.04 mm 11.2 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Unknown

包装方式 Bulk Rail Bulk

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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