对比图
型号 GB20SLT12-247 IDH15S120AKSA1 IDH15S120
描述 GENESIC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247 Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, 1200V Series, Single, 1.2kV, 20A, 112NC, TO-247AC肖特基二极管与整流器 SIC CHIP/DISCRETEthinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon
数据手册 ---
制造商 GeneSiC Semiconductor Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 TVS二极管TVS二极管肖特基二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 TO-247-2 TO-220-2 TO-220-2
正向电压 2V @20A 1.8V @15A 1.8 V
反向恢复时间 0 ns 0 ns 0 ns
正向电流 20 A 15 A 15 A
正向电压(Max) 2V @20A 1.8V @15A 2.55 V
正向电流(Max) 67 A 15 A 15 A
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 312000 mW 185000 mW -
最大正向浪涌电流（Ifsm） - 78 A 78 A
封装 TO-247-2 TO-220-2 TO-220-2
长度 - - 10.2 mm
宽度 - - 4.5 mm
高度 - - 15.95 mm
产品生命周期 Not For New Designs Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Each Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃