对比图
描述 STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3Pin(3+Tab) TO-220ABN 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管N沟道MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
额定功率 75 W - 75 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.4 Ω - 0.4 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 75 W 82 W 74 W
阈值电压 3 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9.30 A 9.00 A
上升时间 15 ns 14.0 ns 28 ns
下降时间 - - 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) - 74000 mW
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 9.00 A 9.30 A -
产品系列 - IRF630N -
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) - -
额定功率(Max) 75 W - -
长度 10.4 mm - 10.41 mm
宽度 4.6 mm - 4.7 mm
高度 9.15 mm - 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
产品生命周期 Active Active -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -