BSR56,215和MMBFJ203

对比图

型号 BSR56,215 MMBFJ203 SST4118-T1-E3

描述 N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。MMBFJ203 N沟道结型场效应管 40v 4~20mA SOT-23 marking/标记 62R 低级别的 radioJFET N-CH 70V 80uA SOT-23

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

耗散功率 250 mW 350 mW -

击穿电压 40 V 40 V 40 V

额定功率(Max) 250 mW 350 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 350 mW -

输入电容(Ciss) - - 3pF @10V(Vds)

漏源极电阻 25 Ω - -

漏源极电压(Vds) 40 V - -

高度 1 mm 0.97 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 3 mm - -

宽度 1.4 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -