BUL39D和BULB39DT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUL39D BULB39DT4 BUH50G

描述 STMICROELECTRONICS  BUL39D  单晶体管 双极, NPN, 450 V, 70 W, 2.5 A, 10 hFED2PAK NPN 450V 4A高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 D2PAK TO-220-3

频率 - - 4 MHz

额定电压(DC) 450 V - 500 V

额定电流 4.00 A - 4.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 70 W - 50 W

增益频宽积 - - 4 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 450 V 450 V 500 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @10mA, 5V - 5 @2A, 5V

额定功率(Max) 70 W - 50 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 70000 mW - 50 W

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 10 - -

长度 10.4 mm - 10.28 mm

宽度 4.6 mm - 4.82 mm

高度 9.15 mm - 15.75 mm

封装 TO-220-3 D2PAK TO-220-3

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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