DTA123EET1G和DTA143EET1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA123EET1G DTA143EET1G DTA123EET1

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors双电阻器数字 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SC-75-3 SOT-416

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.3 W 0.3 W 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 15 8 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 15 -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 338 mW 300 mW

长度 - 1.65 mm -

宽度 - 0.9 mm -

高度 - 0.9 mm 0.75 mm

封装 SC-75-3 SC-75-3 SOT-416

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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