对比图
型号 DS1225AB-200IND DS1225AB-200IND+ DS1225AB-70IND+
描述 IC NVSRAM 64Kbit 200NS 28DIP非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8位, 200ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28
引脚数 28 28 -
针脚数 - 28 28
存取时间 200 ns 200 ns 70 ns
工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃ 40 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V
电源电压(Max) - 5.25 V 5.25 V
电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V
电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) -
时钟频率 200 GHz 200 GHz -
内存容量 64000 B 64000 B -
封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28
长度 - 39.12 mm -
宽度 - 18.29 mm -
高度 - 9.4 mm -
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube, Rail Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free