SMUN2214T1G和UNR5214G0L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMUN2214T1G UNR5214G0L UNR521400L

描述 数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 kSMini3-G1 NPN 50V 100mASMini3-G1 NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Panasonic (松下) Panasonic (松下)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SMini3-G1 SOT-323

引脚数 3 - -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 230 mW 150 mW 150 mW

耗散功率(Max) 338 mW 150 mW -

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

耗散功率 0.338 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOT-23-3 SMini3-G1 SOT-323

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

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