PD85015-E和PD85015STR-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD85015-E PD85015STR-E PD85015TR-E

描述 RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 870 MHz 870 MHz 870 MHz

额定电流 5 A 5 A -

耗散功率 59 W 59000 mW 59 W

输出功率 15 W 15 W 15 W

增益 16 dB 16 dB 16 dB

测试电流 150 mA 150 mA 150 mA

输入电容(Ciss) 45pF @12.5V(Vds) 45pF @12.5V(Vds) 45pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 59000 mW 59000 mW 59000 mW

额定电压 40 V 40 V 40 V

漏源极电压(Vds) 40 V - -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

长度 7.5 mm - 7.5 mm

宽度 9.4 mm - 9.4 mm

高度 3.5 mm - 3.5 mm

工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 - - NLR

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台