FDB8880和ISL9N310AS3ST

对比图

型号 FDB8880 ISL9N310AS3ST FDB6030L

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2.5 VN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 54.0 A - 52.0 A

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0095 Ω 15.0 mΩ 13.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 55 W 70 W 52 W

阈值电压 2.5 V - -

输入电容 1.24 nF - -

栅电荷 22.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 54.0 A 62.0 A 48.0 A

上升时间 107 ns - 12 ns

输入电容(Ciss) 1240pF @15V(Vds) - 1250pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 55 W - 52 W

下降时间 51 ns - 12 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 55 W - 52W (Tc)

长度 10.67 mm 6.73 mm 10.67 mm

宽度 11.33 mm 6.22 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 2.39 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99