对比图
型号 IRLML6402GTRPBF RTR025P02TL AO3419
描述 IRLML6402GTRPBF 编带P-沟道 1 W -20 V 160 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT -3-20V,-3.5A,P沟道MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
通道数 1 1 -
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 1.3 W 1 W 1.4 W
产品系列 IRLML6402GPBF - -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) -3.70 A 2.50 A 3.5A
输入电容(Ciss) 633pF @10V(Vds) 630pF @10V(Vds) 400pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W 1 W 1.4 W
额定功率 - - 0.9 W
上升时间 - 18 ns 5.5 ns
下降时间 - 20 ns 8 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1W (Ta) 1.4W (Ta)
额定电压(DC) - -20.0 V -
额定电流 - -2.50 A -
漏源极电阻 - 115 mΩ -
漏源击穿电压 - 20 V -
宽度 1.3 mm 1.6 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - 2.9 mm -
高度 - 0.85 mm -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
香港进出口证 - NLR NLR