对比图
型号 IXFN80N50 IXTN79N20 STE53NC50
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN80N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 VMOSFET N-CH 200V 79A SOT-227STMICROELECTRONICS STE53NC50 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Surface Mount
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
引脚数 4 - 4
额定功率 - 400 W 460 W
耗散功率 780 W - 460 W
漏源极电压(Vds) 500 V 200 V 500 V
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 80.0 A - 53.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 4 - 4
漏源极电阻 0.055 Ω - 0.08 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 4.5 V - 3 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 53.0 A
上升时间 70 ns - 70 ns
隔离电压 - - 2.50 kV
输入电容(Ciss) 9890pF @25V(Vds) - 11200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 780 W - 460 W
下降时间 27 ns - 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 700W (Tc) - 460W (Tc)
工作结温(Max) 150 ℃ - -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
长度 38.23 mm - 38.2 mm
宽度 25.42 mm - 25.5 mm
高度 9.6 mm - 9.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
重量 0.000036 kg - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99