对比图
型号 FQI7N60 STI13NM60N STB6NK60Z-1
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STI13NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 VN沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 I2PAK TO-262-3 TO-262-3
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.28 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 - 90 W 110W (Tc)
阈值电压 - 3 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V -
连续漏极电流(Ids) 7.4A 11A -
上升时间 - 8 ns 14 ns
输入电容(Ciss) - 790pF @50V(Vds) 905pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 90 W 110 W
下降时间 - 10 ns 19 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 90W (Tc) 110W (Tc)
输入电容 - - 905 pF
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 10.75 mm -
封装 I2PAK TO-262-3 TO-262-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
香港进出口证 - NLR -